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最新更新时间:2016/11/25 21:13:00
黄寒
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个人简介

黄寒

中南大学第十批“升华学者”特聘教授

于2002年7月在国防科学技术大学获得工学学士学位,2008年3月在浙江大学获得理学博士学位,随后到新加坡国立大学任职博士后研究员。2012年2月起被中南大学聘为特聘研究员;2013年7月被聘为中南大学“升华学者”特聘教授。主要研究领域:有机-无机,有机-有机界面;碳化硅(SiC)上石墨烯的生长和修饰等。研究工作主要涉及利用扫描探针显微镜(LT-STM、AFM)、低能电子衍射(LEED)、光电子能谱(PES)、光发射电子显微镜(PEEM)等多种表面分析手段研究各种金属、半导体表面/界面的原子结构/电子结构/化学性质、及有机分子在表面的吸附等;利用MBE、 CVD等生长低维纳米结构,研究生长动力学以及量子效应对低维纳米结构电子性质的影响等。具有丰富的超高真空低温表面测试分析经验。近年研究领域拓展到石墨烯、二硫化钼等二维晶体纳米结构上。主持一项国家自然科学基金青年项目,参与过两项新加坡国家自然科学基金重大项目(每项科研经费约1000万新币)。

目前,已在, Physical Review Letters, ACS Nano,Scientific Reports等国际权威期刊发表相关的SCI 论文70余篇,引用超过1500次,h-index > 24;受邀承担ACS nano, J. Phys. Chem. C., J. Phys. Chem. Lett., Nanotechnology等国际权威期刊的审稿服务。现为中南大学侨联副秘书长。


联系方式

email: physhh@csu.edu.cn


受教育经历
2002-2008 浙江大学, 理学院物理系,直博(保送)
2007.01-06 新加坡国立大学 物理系 访问学生

1998-2002 国防科学技术大学, 理学院物理系,本科


研究工作经历

2013 中南大学2012年度第二批 “升华学者”特聘教授

中南大学,超微结构与超快过程研究所, 研究员

2008-2012 新加坡国立大学, 理学院物理系, 博士后研究员

2007-2008 新加坡国立大学, 理学院物理系, 助理研究员


学生学术获奖

2013.09 万闻 中国物理年会秋季年会"优秀墙报奖"


已毕业学生及去向:

万闻(协助指导) 2014届硕士 厦门大学(攻读博士学位)

乔夫 2014届本科 美国

王世谈 2014届本科 中南大学硕士

齐铖 2013届本科 澳大利亚


科研方向
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石墨烯是由单层碳原子按蜂窝状排列而成的二维晶体,具有很多奇异的性质和巨大的应用前景。如何使石墨烯由半金属转变成半导体,是当今学术界关注的热点之一。理论计算预言,纳米结构的石墨烯具有半导体性质。在本项目中,我将选用带有特定官能团的有机小分子DBBA,利用金属表面的催化作用和分子之间的聚合作用,原位合成具有原子精度边界的扶手型石墨烯纳米带;我们将以研究其生长机理为出发点,争取实现不同长度和宽度的石墨烯纳米带的可控生长;并用低温扫描隧道显微镜等技术对其原子结构以及相应的电子结构进行研究;我将尝试构造硅烯-石墨烯的纳米异质结,并在原子尺度上研究这两种单原子层晶体的界面效应。在此基础上,我还将对其他新兴的二维晶体(二硫化钼等)的纳米结构的制备和物性展开研究。希望通过这些研究可以进一步了解石二维晶体纳米结构的物性并为拓展其应用提供深入的途径和可能的技术手段。(Sci. Rep. 2, 983(2012),Phys. Rev. Lett. 109, 119701 (2012))

[from Sci. Rep. 2, 983(2012)]


学术成果
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近年代表性学术论文

1.Zhang, L.; Yang, Y. G.; Huang Han (黄寒)*; Lyu, L.; Zhang, H.; Cao, N. T.; Xie, H. P.; Gao, X. Y.; Niu, D. M.; Gao, Y. L.* Thickness Dependent Air-Exposure Induced Phase Transition of CuPc Ultra-Thin Films to Well-Ordered One-Dimensional Nanocrystals on Layered Substrates. J. Phys. Chem. C, 119, 4217–4223(2015)(IF=4.835)

2.Huang Han (黄寒)*; Wong, S. L.; Wang, Y. Z.; Sun, J. T.; Gao, X. Y.; Wee, A. T. S.* Scanning Tunneling Microscope and Photoemission Spectroscopy Investigations of Bismuth on Epitaxial Graphene on SiC(0001). J. Phys. Chem. C, 118, 24995–24999(2014) (IF=4.835)

3.Wan, W.; Li, H.; Huang Han (黄寒)*; Wong, S. L.; Lv, L.; Gao, Y. L.; Wee, A. T. S.* Incorporating Isolated Molybdenum (Mo) Atoms into Bilayer Epitaxial Graphene on 4H-SiC(0001). ACS Nano 8, 970-976(2014) (IF=12.033)

4.Huang Han(黄寒)*; Wee, A. T. S.* Adsorption on epitaxial graphene on SiC(0001). J. Mater. Res. 29, 447 (2014)(Invited feature article)

5.Huang Han(黄寒)*; Wei, D. C.; Sun, J. T.; Wong, S. L.; Feng, Y. P.; Castro Neto, A. H.; Wee, A. T. S.* Spatially Resolved Electronic Structures of Atomically Precise Armchair Graphene Nanoribbons. Sci. Rep. 2, 983(2012) (IF=5.078)

6.Sun, J. T.; Huang Han (黄寒)*; Wong, S. L.; Gao, H. -J.; Feng, Y. P.; Wee, A. T. S.* Energy-gap opening in a Bi(110) nanoribbon induced by edge reconstruction. Phys. Rev. Lett. 109, 246804(2012)

7.Huang Han (黄寒)*. Comment on ‘‘Electronic Structure of Spatially Aligned Graphene Nanoribbons on Au(788)’’. Phys. Rev. Lett. 109, 119701 (2012)

8.Huang Han(黄寒)*; Wong, S. L.; Sun, J. T.; Chen, W.; Wee, A. T. S.* Trapping Single Polar Molecules in SiC Nanomesh via Out-of-Plane Dipoles. ACS Nano, 6, 2774-2778(2012)

9.Huang Han(黄寒)*;Sun, J. T.; Feng, Y. P.; Chen, W.; Wee, A. T. S.* Epitaxial Growth of Diindenoperylene Ultrathin Films on Ag(111) Investigated by LT-STM and LEED. Phys. Chem. Chem. Phys.13, 20933-20938(2011)

10.Huang Han(黄寒)*; Wong, S. L.; Chen, W.; Wee, A. T. S.* LT-STM Studies on Substrate-Dependent Self-Assembly of Small Organic Molecules. J. phys. D: Appl. Phys. 44, 464005 (2011) (Invited Review)

11.Huang Han(黄寒)*; Wong, S. L.; Tin, C. C.; Lou, Z. Q.; Shen, Z. X.; Chen, W.; Wee, A. T. S.* Epitaxial Growth and Characterization of Graphene on Free-Standing Polycrystalline 3C-SiC. J. Appl. Phys. 110, 014308 (2011)

12.Wong, S. L.; Huang Han(黄寒)*; Wang, Y. Z.; Cao, L.; Qi, D. C.; Sentoso, I.; Chen, W.; Wee A. T. S*. Quasi-Free-Standing Epitaxial Graphene on SiC (0001) by Fluorine intercalation from a molecular source. ACS Nano 5, 7662-7668 (2011)

13.Huang Han(黄寒), Chen S, Gao XY, Chen W*, Wee ATS* Structural and electronic properties of PTCDA thin films on epitaxial graphene on 6H-SiC(0001) ACS Nano 3, 3431-3436(2009)

14.Huang Han(黄寒), Chen W*, Chen S, Wee ATS* Bottom-up growth of epitaxial graphene on 6H-SiC(0001) ACS Nano 2, 2513-2518(2008) (Highlighted by Nature 458, 390 (2009))

15.Huang Han(黄寒); Huang, Y. L.; Pflaum, J.; Wee, A. T. S.; Chen, W.* Nanoscale Phase Separation of a Binary Molecular System of copper phthalocyanine and di-indenoperylene on Ag(111). Appl. Phys. Lett.95, 263309(2009)

16.Huang Han(黄寒); Chen, W.*; Chen, S.; Qi, D. C.; Gao, X. Y.; Wee, A. T. S.* Molecular orientation of CuPc thin films on C60/Ag(111) . Appl. Phys. Lett. 94, 163304(2009)

17.Huang Han(黄寒); Chen, W.*; Wee, A. T. S.* Low- Temperature Scanning Tunneling Microscopy Investigation of Epitaxial Growth of F16CuPc Thin Films on Ag(111) J. Phys. Chem. C. 112, 14913-14918 (2008) (Cover Image)

18.Huang Han(黄寒); Chen, W.*; Chen, L.; Zhang, H. L.; Wang, X. S.; Bao, S. N.; Wee, A. T. S.* “Zigzag” C60 molecular wire array. Appl. Phys. Lett. 92, 023105(2008)


论著(章节)
Huang Han(黄寒), Chen S., Wee A. T. S. and Chen W.*“Epitaxial growth of graphene on silicon carbide (SiC)” in “Graphene: properties, preparation, characterisation and devices” edited by Viera Skákalová and Alan B. Kaiser, CRC press, Woodhead Publishing pp:3-26, ISBN:978-0857095084, 21/03/2014. (封面)


本科生项目:

2013年 陈雪静、何延伟、赵康、周臻宏、陈桂英 自由探索项目(z12065,2013.06-2014.05, 0.9万元)具有原子精度扶手型边界的石墨烯纳米带的扫描隧道显微镜研究

2014年 袁靖叶、郜芳、武军、李运豪、韩欣彤 自由探索项目(2282014bks086,2014.06-2015.05,1.0 万元)单层二硫化钼的可控制备与物性研究


研究生项目:

2014年 张雷(协助指导) 中南大学贵重仪器设备开放共享基金(CSUZC2014023,0.9万元)