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最新更新时间:2017/8/28 12:05:00
刘艳平
“An experiment is a questio...
个人简介

刘艳平(Martin)

男,汉族,湖南茶陵人,物理哲学博士,特聘教授,博士生导师

办公室地址:新校区物理与电子学院637

办公室电话:0731-88879148

E-mail: liuyanping@csu.edu.cn; liuyanping@foxmail.com

研究方向:(1)新型材料自旋电子学及自旋器件的应用;(2)新型能谷材料谷电子学及谷器件的应用

(3)二维材料光电特性及应用;(4)新型功能材料设计、制备及应用

英文主页:
http://www.escience.cn/people/YanpingLiu

中文主页:
http://faculty.csu.edu.cn/yanpingliu


1. 个人简介

刘艳平,男,1980年1月生,湖南茶陵人。特聘教授,博士生导师,中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程湖南省重点实验室成员。衡阳师范学院本科学士、新加坡南洋理工大学(NTU)物理哲学博士、日本理化学研究所(RIKEN)联合培养博士、美国加州大学伯克利分校(UC BERKELEY)博士后。现为美国物理学会、美国国际电子电气工程师协会、美国化学学会、英国皇家化学学会会员。世界顶级期刊Nature Nanotechnology、Nature Physics、Nature Communications和ACS、ELSEVIER、RCS、AIP出版的一流期刊的审稿人。

2008年,获得了新加坡政府全额奖学金在新加坡南洋理工大学物理系攻读博士学位(博士生导师:LEW WEN SIANG)。博士期间,2010-2011年在新加坡科技研究局(A*STAR)以研究学者的身份从事石墨烯量子输运特性的研究。2011-2012年,以国际青年学者的身份师从日本东京大学著名教授Yoshichika Otani(大谷·義近),在日本理化学研究所(RIKEN)从事石墨烯自旋电子学研究. 博士毕业后,2014-2016年,在美国加州大学伯克利分校(UC Berkeley)从事博士后研究。2017年初入职中南大学物理与电子学院。

长期从事基于二维材料的自旋电子学、谷电子学、纳米电子学与器件的研究。在石墨烯自旋电子学、过渡金属硫化物谷电子学研究及器件物理方面取得一系列创新研究成果。科研成果被Nature NPG Asia Materials网站作为研究亮点报道。科研学术成果在美国,德国,日本,新加坡,台湾,香港等国际会议上做了报告或展览,科研海报多次荣获第一名,申请美国专利一项。以第一作者在 Nano Letters、ACS Nano、Small、Nanoscale、Carbon、Applied Physics Letters、New Journal of Physics、Nanotechnology 等SCI期刊发表论文20 余篇。博士期间因优异的学术成绩而荣获2012年国家留学基金管理委员会颁发的“国家优秀自费留学生奖学金”,并作为代表在大使馆发言。目前承担国家千人计划高永立教授国家重点攻关项目(300万人民币)、主持国家自然基金面上项目(No:61775241;62万人民币)、中南大学创新驱动计划项目(No:2017XC019;100万人民币)和中南大学特聘教授科研启动基金(120万人民币)。参与和完成了新加坡国家重点基金(R284-000-056-281,1000万新币)、新加坡教育部学术研究基金(MOE-2011-T2-2-147)、新加坡A*STAR科学和工程研究委员会(A*STAR: 082-101-0015)等多项项目。

主要学术成就:1.首创磁场调制石墨烯带隙,推动了其磁性传感器的应用。研究结果被《自然·中国》选为“研究亮点”重点报道。2.实现了石墨烯室温自旋长度达2微米,开辟了自旋电子学研究的新分支,推动了石墨烯自旋器件的发展。3.成功调制硒化铋光学特性,实现了其在显示屏中的应用,授权了美国专利并得到三星公司的资助(Grant 037361-003)。4.首创石墨烯纳米带光电探测器,刷新了光电转化率的世界记录,加速了其光电探测器商业化进程。5.成功观察到了二维过渡金属硫属化合物明暗激子态的相变,开拓了其在量子点发光领域中的应用。

2. 教育背景

2008-2013, 博士研究生, 物理与应用物理,新加坡南洋理工大学(NTU), 新加坡.

2011-2012, 博士研究生联合培养, 自旋电子学,日本理化学研究所(RIKEN), 日本.

3. 工作经历

2017.3-至今,特聘教授,物理与电子学院,中南大学(CSU)

2014-2016, 博士后,美国加州大学伯克利分校(UC Berkeley )

2012-2013, 研究员,新加坡南洋理工大学(NTU)

2010-2011,研究学者,新加坡数据存储研究院(DSI)

4. 获奖情况

(1).中国国家优秀留学生奖学金. 国家留学基金管理委员会颁发,新加坡,2012, 等级:第一,

(2).优秀科研海报奖. IEEE Magnetics Society Singapore,新加坡,2012,等级: 第一

(3).优秀科研海报奖. 香港科技大学,香港,2011,等级:第一

(4).科研海报竞赛第一名. 数据存储研究院(DSI),新加坡,2011,等级:第一

(5).博士生全额奖学金. 新加坡南洋理工大学,新加坡,2008,等级:第一

5. 博士论文

题目:单层和多层石墨烯纳米结构的量子和自旋输运特性(Charge and spin transport in monolayer and fewlayet graphene nanostuctures).

导师:Wen Siang LEW(NTU), Yoshichika OTANI(RIKEN),Tiejun ZHOU(A*STAR)

6.代表性论文

1. YP. Liu(刘艳平); Idzuchi, H., Fukuma, Y., Rousseau, O., Otani, Y and Lew, W. S., Spin injection properties in trilayer graphene lateral spin valves. Applied Physics Letters,2013.3,影响因子:3.142,SCI,JCR分区:Q2.

2. YP. Liu(刘艳平); Tom, Kyle.; Xi, Wang.; Yao Jie.; et al., Dynamic control of optical response in layered metal Chalcogenide nanoplates, NANO LETTERS,2016.1,488-496,影响因子:13.779,SCI,JCR分区:Q1.

3. YP. Liu(刘艳平); Lew, W.S., Liew, H. F and Zhou, T. J., Observation of Oscillatory Resistance Behavior in Coupled Bernal and Rhombohedral Stacking Graphene, ACS NANO,2011.5,影响因子:12.881,SCI,JCR分区:Q1.

4. YP. Liu(刘艳平); Goolaup, S.; Murapaka, C.; Lew, W. S.; Wong, S. K., Effect of Magnetic Field on the Electronics Transport in Trilayer Graphene,ACS NANO,2010.7,影响因子:12.881,SCI,JCR分区:Q1.

5.YP. Liu(刘艳平); YJ.Zhang., J. He., and ZW. Liu. Charge Transport in Few-layer Graphene: A Review,SMALL, 2017(Invite Review),影响因子:8.3,SCI,JCR分区:Q1.

6. X.Yu*.,Z.Dong*., YP. Liu(刘艳平)*.,T.Jin.,J.K.W.Yang and Q.Wang., High performance, visible to mid-infrared photodetector based on graphene nanoribbons passivated by HfO2, NANOSCALE,同等第一作者,2015.12,影响因子:7.394,JCR分区:Q1.

7.YP. Liu(刘艳平); Goolaup, S.C.; Lew, W. S.; Wong, S. K., Observation of the Semiconductor-Metal Transition Behavior in Monolayer Graphene, CARBON,2012.6,影响因子:6.196,SCI,4,JCR分区:Q1.

8. YP. Liu(刘艳平); Lew, W. S.; Sun, L., Enhanced weak localization effect in few-layer graphene. Physical Chemistry Chemical Physics,2011.6,影响因子:4.449,SCI,JCR分区:Q2.

9. YP. Liu(刘艳平); Goolaup, S.C.; Lew, W. S. et al., Excitonic Bandgap Dependence on Stacking Configuration in Four-layer Graphene, Applied Physics Letters,2013.2,影响因子:3.142,SCI, JCR分区:Q2.

10. YP. Liu(刘艳平); Tom Kyle.; Xiaowei Zhang; Jie Yao. et al., Alloying effect on Bright-Dark Exciton States in Ternary Monolayer MoxW1-xSe2, New Journal of Physics,2017, 19(7):073018,影响因子:3.57,SCI, JCR分区:Q2.

11. YP. Liu(刘艳平)#; Xiang Liu#.; Yanjing Zhang#;Jun He. et al., Effect of Magnetic Field on the Electronic Transport in Bilayer Graphene Nanomesh, Nanotechnology,2017.28,235303,影响因子:3.573,SCI, JCR分区:Q2.

12. YP. Liu(刘艳平); Liu, Z. W, Lew, W. S and Wang Q.J; Temperature Dependence of the Electrical Transport Properties in Few-Layer Graphene Interconnects, Nanoscale Research Letters,2013.6,影响因子:2.726,SCI,JCR分区:Q2.

13. YP. Liu(刘艳平); Lew, W. S and Liu Z.W., Observation of Anomalous Resistance Behavior in Bilayer Graphene. Nanoscale Research Letters,2017,影响因子:2.726,SCI,JCR分区:Q2.

14. YP. Liu(刘艳平); Xia, Q. L., He, J and Liu Z.W., Direct Observation of High Photoresponsivity in Pure Graphene Photodetectors. Nanoscale Research Letters,2017,影响因子:2.726,SCI, JCR分区:Q2.

15.HAN Seunghoon, YP. Liu(刘艳平); J Yao, K Tom., Optoelectronic device and smart window comprising the same. US Patent App. 15/375,554,2016

欢迎本科生、硕士生报考本人硕士生、博士生(希望你有爱心懂感恩、有上进心不怕困难、多一点好奇心少一点虚荣心)。

本课题组的研究生将实行与美国加州大学伯克利分校、日本理化学研究所、新加坡南洋理工大学、澳大利亚悉尼大学等进行联合培养,为学生提供世界一流的科研环境和就业竞争力。

另外课题组招聘博士后,待遇面议。



本人的科研兴趣集中于新型二维层状材料电子的量子自由度(电子的电荷,自旋和谷)的研究。主要的研究课题涉及到基于二维层状材料的自旋电子学(Spintronics)、谷电子学(Valleytronics)和纳米电子学(Nanoelectronics)的研究。研究目标是探索材料电子自由度(电子自旋,谷和电荷)的特性,并利用它们为载体,以开发在下一代电子学和光子学器件中的应用。这将使我们能够利用基于纯的电子自旋、谷、电荷量子自由度实现新型的量子信息处理、数据存储器、太阳能电池和量子计算机等, 让科研更好地为人类社会以及国防服务。具体科研方向如下:


1.自旋电子学:自旋注入,自旋输运,自旋探测和自旋波的研究.

2.谷电子学:过渡金属硫族化合物(TMDC)材料(激子发光,弛豫)和异质结构的研究.

3.纳米光子学:有关新型二维层状材料的光学特性以及电学控制光相的方法.

4.纳米电子学:基于二维材料纳米结构的量子输运研究(纳米球(2D),纳米带(1D),量 子点(0D)).

5.拓扑绝缘体:即Bi2Se3 /Bi2Te3(表面态,自旋极化费米表面,光电流等).

My research interesting focus on the investigation of the quantum degrees( spin, Valley and charge) of freedom in electrons.An important goal of my research will be to explore and understand the quantum degrees (spin, Valley, and charge) of freedom of electron of materials and utilize it as carriers to process information in the next generation electronic and optoelectronics. This will allow us to realize a new class of devices and applications using a pure spin/valley/charge current such as spin-logic and memory devices, batteries, and quantum computer. Moreover, it will help me attain my research goal, which is to make more contributions to science and peoples' life. The main research topic includes the quantum degrees of freedom can be broadly classified into five main areas:


1.Spintronics and magnon spintronics. i.e. spin injection, spin transport, spin detection, and spin wave.

2.Nanoelectronics. i.e. Quantum transport in 2D materials nanostructures(nanomesh(2D), nanoribbons (1D), quantum dot (0D)).

3.Nanophotonics. i.e. Electrically-controlled light phase and optically properties and Tunable meta photonics.

4.Valleytronics. i.e. TMDC materials(robust excitons) and 2D Van Del Waals heterostructures.

5.Topological insulator. i.e. Bi2Se3/Bi2Te3(robust surface states, spin-polarized Fermi surface).


学术成果
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科研论文发表

1. YP. Liu(刘艳平); Idzuchi, H., Fukuma, Y., Rousseau, O., Otani, Y and Lew, W. S., Spin injection properties in trilayer graphene lateral spin valves. Applied Physics Letters,2013.3,影响因子:3.142,SCI中科院JCR分区:Q2.

2. YP. Liu(刘艳平); Tom, Kyle.; Xi, Wang.; Yao Jie.; et al., Dynamic control of optical response in layered metal Chalcogenide nanoplates, NANO LETTERS,2016.1,488-496,影响因子:13.779,SCI,中科院JCR分区:Q1.

3. YP. Liu(刘艳平); Lew, W.S., Liew, H. F and Zhou, T. J., Observation of Oscillatory Resistance Behavior in Coupled Bernal and Rhombohedral Stacking Graphene, ACS NANO,2011.5,影响因子:12.881,SCI,10,中科院JCR分区:Q1.

4. YP. Liu(刘艳平); Goolaup, S.; Murapaka, C.; Lew, W. S.; Wong, S. K., Effect of Magnetic Field on the Electronics Transport in Trilayer Graphene,ACS NANO,2010.7,影响因子:12.881,SCI,22,中科院JCR分区:Q1.

5. X.Yu*.,Z.Dong*., YP. Liu(刘艳平)*.,T.Jin.,J.K.W.Yang and Q.Wang., High performance, visible to mid-infrared photodetector based on graphene nanoribbons passivated by HfO2, NANOSCALE,同等第一作者,2015.12,影响因子:7.394,SCI,中科院JCR分区:Q1.

6.YP. Liu(刘艳平); Goolaup, S.C.; Lew, W. S.; Wong, S. K., Observation of the Semiconductor-Metal Transition Behavior in Monolayer Graphene, CARBON,2012.6,影响因子:6.196,SCI,4,中科院JCR分区:Q1.

7. YP. Liu(刘艳平); Lew, W. S.; Sun, L., Enhanced weak localization effect in few-layer graphene. Physical Chemistry Chemical Physics,2011.6,影响因子:4.449,SCI,中科院JCR分区:Q2.

8. YP. Liu(刘艳平); Goolaup, S.C.; Lew, W. S. et al., Excitonic Bandgap Dependence on Stacking Configuration in Four-layer Graphene, Applied Physics Letters,2013.2,影响因子:3.142,SCI, 中科院JCR分区:Q2.

9. YP. Liu(刘艳平); Tom Kyle.; Xiaowei Zhang; Jie Yao. et al., Alloying effect on Bright-Dark Exciton States in Ternary Monolayer MoxW1-xSe2, New Journal of Physics,2017.5( in press),影响因子:3.57,SCI, 中科院JCR分区:Q2.

10. YP. Liu(刘艳平)#; Xiang Liu#.; Yanjing Zhang#;Jun He. et al., Effect of Magnetic Field on the Electronic Transport in Bilayer Graphene Nanomesh,Nanotechnology,2017.5 (in press),影响因子:3.573,SCI, 中科院JCR分区:Q2.

11. YP. Liu(刘艳平); Liu, Z. W, Lew, W. S and Wang Q.J; Temperature Dependence of the Electrical Transport Properties in Few-Layer Graphene Interconnects, Nanoscale Research Letters,2013.6,影响因子:2.726,SCI,中科院JCR分区:Q2.

12. YP. Liu(刘艳平); Lew, W. S and Liu Z.W., Observation of Anomalous Resistance Behavior in Bilayer Graphene. Nanoscale Research Letters,2017,影响因子:2.726,SCI,中科院JCR分区:Q2.

13. YP. Liu(刘艳平); Xia, Q. L., He, J and Liu Z.W., Direct Observation of High Photoresponsivity in Pure Graphene Photodetectors. Nanoscale Research Letters,2017,影响因子:2.726,SCI, 中科院JCR分区:Q2.