报告题目:Geometrical and Topological Valley Physics in Solid State Materials
报告人:杨声远 助理教授 (新加坡科技设计大学)
报告时间:05月07日(周四)上午10: 30-11:30
报告地点:南校区双超楼211报告室
报告摘要:
谷电子学(valleytronics),类似于自旋电子学,希望用一种新的‘谷’自由度来作为信息传递和操作的媒介。这个概念在近年来对石墨烯等二维新材料的研究中得到极大的扩展。在这些材料中,费米面附近的电子结构有多个由对称性联系的谷,并且每个谷有着特定的手性(chirality),从而导致很多有趣的物理效应。在这个报告里,我将介绍我们对这些系统物理性质的一些理论研究,着重在谷的几何和拓扑的性质对载流子行为的影响,其目的是希望能够提够有效控制谷自由度的方法。另一方面,我们也发现了一些与谷相关的新颖的拓扑相,比如二维的拓扑金属,无序导致的完全谷极化的反常霍尔绝缘体,以及三维的狄拉克超导体等。这些新的物态有着奇异的物理性质,希望能在不久的将来得到实验证实。
杨声远,江苏省南京市人。2001-2002年就读于清华大学电气自动化专业。2002年获香港赛马会奖学金进入香港大学修读数学物理专业,2005年获理学学士。2005-2011年在美国得克萨斯大学奥斯汀分校修读凝聚态物理理论研究生,2011年获博士学位。2011-2013年在休斯敦CGG Veritas US Services公司工作,任地质成像研究员。2013年6月至今在新加坡科技设计大学担任助理教授。以往的研究课题包括磁性薄膜材料的电磁特性,激光二次谐波的发射理论,低维度纳米新材料如石墨烯的物理性质,拓扑电子通道的传输性质,和杂质散射对强自旋轨道耦合的低维度固体系统的影响等。发现了磁壁运动引起的普适电动势。设计和提出了基于石墨烯边界的自旋流过滤阀,基于磁性多层微结构的磁性约瑟夫森效应节,和磁性动力学电池装置。目前的研究方向包括拓扑半金属,拓扑绝缘体,二维材料和纳米结构的物理性质,自旋和谷电子学,量子输运,磁性微结构的动力学,可充电电池电极材料等。