题目：多维纳米结构的STM和PES的研究

报告人：宋飞，研究员，中国科学院上海应用物理研究所

时间：9月19日 上午 10:00-11:00.

地点：双超所会议室

摘要：自20世纪80年代纳米技术出现以来，纳米材料科学便成为了最富活力的领域之一；各种功能性纳米材料对信息、生物、能源、环境、宇航等高科技领域都产生了极其重要的影响。在这个报告中，我将结合最近的一些工作展开对表面/界面上微纳米结构及其功能调控的讨论。我们主要利用扫描隧道显微镜(STM)，光电子能谱(PES)、四探针测量电导(4PP)等技术手段在超高真空下(UHV)研究了基于金属及半导体界面上各种有机、无机纳米结构的物理结构、电子态结构和电学性质；进一步地，通过人为可控的调节这些低维纳米结构的尺寸，来调控其电学性质以便为产业化应用打好基础。比如卟啉(Porphyrin)以及二溴芘(Dibromopyrene)在贵金属界面上的生长机制、纳米结构，和石墨烯在SiC上的调控生长、电学性质等。最后，我将简要介绍一下上海同步辐射光源即将搭建的近常压光电子能谱系统，覆盖材料、物理、化学、能源等交叉学科的多重需求。

报告人简介

宋飞，男，2004年毕业于国防科技大学应用物理系，2009年毕业于浙江大学物理系，其中2007-2009年以联合培养博士生的身份到丹麦Aarhu大学学习。2009-2011年以Researcher身份在挪威科技大学纳米实验室进行科学研究；2011-2014年受聘于荷兰格罗宁根大学Zernike先进材料研究所进行较独立的科学研究；2014年被聘为中国科学院上海应用物理研究所“百人计划”研究员。

研究工作主要集中在基于界面/表面的低维及多维纳米结构的制备和表征上，主要利用扫描隧道显微谱(STM)、光电子能谱(XPS, ARPES)以及超高真空四探针电导测量系统进形貌结构和电子、电学性质的研究。如功能有机分子在金属/半导体界面上的自组装超分子结构和聚合构筑体结构，以及基于SiC基底的石墨烯微结构的调控制备；半金属Bi的拓扑表面态的研究及其薄膜潜在的拓扑态的探索，Bi₂Se₃拓扑绝缘体的掺杂研究等。